Транзистор IPB60R165CP (6R165)

Транзистор IPB60R165CP (6R165)

Артикул: 265438

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 39 nC

Время нарастания (tr): 5 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

11,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
  CoolMOS transistor_650v_1.65om_ Ultra low gate charge  
265438
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 106ЛР2 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 106ЛР2 Ni

299270
3,80 BYN
представляют собой логический элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с двусторонним расположением выводов.Маркировка микросхем и схема соединения электродов с выводами указывается на...
Микросхема 249ЛП1В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 249ЛП1В Au

299892
4,80 BYN
Коммутаторы логических сигналов 249ЛП1В, оптоэлекгронные, состоящие из арсенидогаллиевого излучателя, кремниевого фотодиода и интегрального усилителя, обеспечивающего на выходе цифровые уровни напряжения для совместной работы с ТТЛ-микросхемами.Предназначены для передачи цифровых сигналов между узлами аппаратуры при необходимости обеспечения между ними...

В этой категории 16 товаров:

транзистор IRF7418
Полевые транзисторы

транзистор IRF7418

312616
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор H75N03 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N03 to220

293229
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H18NM80 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H18NM80 to247

293175
26,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H75NF75
Полевые транзисторы

Транзистор H75NF75

293232
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор IRG7PH46U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7PH46U

276509
35,56 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 390W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 108A TO247
Транзистор AP9474GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9474GM

311842
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF7425
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7425

276406
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.