Транзистор BS170

Транзистор BS170

Артикул: 276277

Корпус TO-92
Вес 0,4 г
60V, 0,5A, 0,83W, 150*C

1,72 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276277
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRFB4227
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4227

276437
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm Тип...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFS540N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS540N

276483
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор CEB603AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEB603AL

311871
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор IRFS530A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS530A

276482
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 610 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm Тип корпуса: TO220F
Транзистор IRF7341
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7341

276399
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.7 A Общий заряд затвора (Qg): 24 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm Тип...
Транзистор P0903BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P0903BDG

276660
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор 2SK4106
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4106

304879
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 22 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор 4NK60Z (STP4NK60Z,P4NK60Z)
Полевые транзисторы

Транзистор 4NK60Z (STP4NK60Z,P4NK60Z)

264707
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP22N50A (22N50A) to-247
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP22N50A (22N50A) to-247

265442
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO3419 (A50T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3419 (A50T)

276132
0,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор RJP5001
Полевые транзисторы

Транзистор RJP5001

276706
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 17 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.