Транзистор FQA10N80C

Транзистор FQA10N80C

Артикул: 302441

Труба MOS 

22,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
800 V
Номинальный Ток
10.0 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
1.10 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
240W (Tc)
Напряжение Сток-исток (Vds)
800 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
800 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
10.0 A
Входная емкость (Ciss)
2800pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
240 W
Рассеиваемая Мощность (Макс)
240W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-3-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-3-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302441

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFIBC20G
Полевые транзисторы

Транзистор IRFIBC20G

276451
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f

265397
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 220...
Транзистор 2SJ306
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ306

292947
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 ns Выходная емкость (Cd): 110 pf...
Транзистор FDD8780 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD8780 dpak (to252)

293104
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор P0920ATF
Полевые транзисторы

Транзистор P0920ATF

312023
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPF50
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPF50

276468
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H75NF75
Полевые транзисторы

Транзистор H75NF75

293232
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор AOD413
Полевые транзисторы

Транзистор AOD413

276165
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Транзистор AP4533GEM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4533GEM

276204
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.4 A Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор 2SK1213
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1213

304710
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор P0603BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P0603BDG dpak (to252)

293336
5,20 BYN
Наименование прибора: P0603BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 68 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.