Транзистор 2SK212 to-92s

Транзистор 2SK212 to-92s

Артикул: 265410

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A

Максимальная температура канала (Tj): 125 °C

Выходная емкость (Cd): 4 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 500 Ohm

5,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-FET 20V, 10mA, 0.2W, (Idss>0.6mA, Up<2.5V)

265410
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор H60N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H60N06 to220

293214
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20N60KDA
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60KDA

275947
13,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор Si4800B
Полевые транзисторы

Транзистор Si4800B

293389
8,80 BYN
Наименование прибора: SI4800BDY Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура...
Транзистор 2SK4207
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4207

304883
27,00 BYN
Маркировка: K4207 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 27N25
Полевые транзисторы

Транзистор 27N25

312579
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFHS8342
Полевые транзисторы

Транзистор IRFHS8342

293276
0,00 BYN
Наименование прибора: IRFHS8342 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK738
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK738

304895
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор HW20N60 TO247
Полевые транзисторы

Транзистор HW20N60 TO247

293254
36,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 416 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 130 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор 35N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 35N60C3

275990
28,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.6 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: TO247
Транзистор TK7A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK7A50D

276743
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.