Транзистор 2N100 (FQD2N100)

Транзистор 2N100 (FQD2N100)

Артикул: 265407

  ( 2A 1000V)  to-252 (d-pak)

15,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-Channel MOSFET 1.6A 1000V 50W

265407
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 530ЛА17 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 530ЛА17 Au

300088
6,40 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии с диодами Шоттки и p-n переходом.Микросхема 530ЛА17 представляет собой два логических элемента 4И-НЕ (магистральный усилитель) с тремя состояниями на выходе.Предназначена для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Выпускается в металлостеклянном корпусе с...
View
Микросхема 594ПА1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 594ПА1 Au

300744
45,20 BYN
— интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения для преобразования цифрового 12-разрядного кода в аналоговый ток и используется как декодирующее устройство с функционалом двенадцатиразрядный параллельный ЦАП с суммированием токов. Микросхемы выполнены в...
View
Микросхема 572ПВ1А Au ОС
Микросхемы отечественные

Микросхема 572ПВ1А Au ОС

300534
30,20 BYN
Описание микросхемы 572ПВ1А: Микросхемы 572ПВ1А представляют собой 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь последовательного приближения.Содержат 1126 интегральных элементов.Корпус типа 4134.48-2, масса не более 5 г.Рабочая температура: -60...+85 °С.Технические условия: бК0.347.182-03ТУ.
View
Микросхема 1554ЛИ1Т Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1554ЛИ1Т Au

299439
43,20 BYN
Микросхема 1554ЛИ1Т - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View
Набор шестеренок пластиковых 69 элементов
Механика и робототехника

Набор шестеренок пластиковых 69 элементов

310873
48,00 BYN
Применение: Данный набор шестерен предназначен для построения редукторов и мультипликаторов с произвольным передаточным числом. Использование наборов шестерен не представляет труда. Чтобы построить редуктор необходимо знать всего 2 параметра шестерни: количество зубьев шестерни (обозначается буквой Z); модуль шестерни (обозначается буквой m).
View
Микросхема 275ЕН13А Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 275ЕН13А Ni

299938
6,40 BYN
Микросхема 275ЕН13А представляет собой стабилизатор напряжения +12.6 В (45 мА).Предназначена для применения в схемах вторичных источников питания в качестве стабилизатора фиксированного напряжения.Выпускаются в 14-выводном металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа в отверстия печатных плат.Корпус типа 151.14-4, масса не...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор 20NK50Z

275952
8,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
View
Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304694
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
View
Транзистор APM4568J
Полевые транзисторы

Транзистор APM4568J

276260
8,48 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
View
Транзистор IRFP31N50L (P31N50L)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP31N50L (P31N50L)

266059
22,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор TK12A10K3
Полевые транзисторы

Транзистор TK12A10K3

276727
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
View
Транзистор H5N80 изол
Полевые транзисторы

Транзистор H5N80 изол

293208
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 100...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.