Транзистор 2N100 (FQD2N100)

Транзистор 2N100 (FQD2N100)

Артикул: 265407

  ( 2A 1000V)  to-252 (d-pak)

15,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-Channel MOSFET 1.6A 1000V 50W

265407
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC3320 to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3320 to3p

292862
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор A1038
Биполярные транзисторы

Транзистор A1038

274967
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
Транзистор 2SA608
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA608

264653
0,48 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K2865
Полевые транзисторы

Транзистор K2865

276609
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Транзистор 12N80AN
Полевые транзисторы

Транзистор 12N80AN

275889
11,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 315 pf...
Транзистор MDF4N65B to220f
Полевые транзисторы

Транзистор MDF4N65B to220f

293300
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор FTP18N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор FTP18N06 to220

293125
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 61 ns Выходная емкость (Cd): 420 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.