Транзистор 2SJ584

Транзистор 2SJ584

Артикул: 304675

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 120 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220FI

5,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304675

В этой категории 16 товаров:

Транзистор TK15A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK15A50D

276732
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK163
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK163

304743
1,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 150 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор APT8030LVRG
Полевые транзисторы

Транзистор APT8030LVRG

276274
35,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 340 nC Время нарастания (tr): 14...
Транзистор TK11A65W
Полевые транзисторы

Транзистор TK11A65W

312092
12,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор RK7002 sot23
Полевые транзисторы

Транзистор RK7002 sot23

293367
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 4.5 pf...
Транзистор H65N06 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H65N06 so8

293220
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор K3116
Полевые транзисторы

Транзистор K3116

276621
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Время нарастания (tr): 11...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.