Транзистор IRFR9020

Транзистор IRFR9020

Артикул: 303397

Труба MOS

7,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9.4 nC

Время нарастания (tr): 57 ns

Выходная емкость (Cd): 320 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO252

303397

Просмотренные товары

Монтажный провод НВ-5 0,75 мм2 ( синий ) 1 м
Каталог

Монтажный провод НВ-5 0,75 мм2 ( синий ) 1 м

304208
1,28 BYN
Предлагаем оптом и в розницу монтажный провод НВ-5  600  0,75 мм кв. Провода НВ-5 повышенной гибкости применяются для монтажа в электронном и электрическом оборудование. Напряжения переменного тока 600 и 1000 Вольт и частотой до 5000 Герц. Проводник сделан из скрученных медных луженых проволок, для изоляции используют поливинилхлоридный пластикат....

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SI2301DS ( A1SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2301DS ( A1SHB )

276710
0,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 36 ns Выходная емкость (Cd): 223 pf...
Транзистор 22N60NT
Полевые транзисторы

Транзистор 22N60NT

275960
11,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ598
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ598

304676
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор H18N50 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H18N50 to220

293173
12,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор FQPF20N60C (20N60C) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF20N60C (20N60C) to-220f

265435
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1693
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1693

311822
48,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 260 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор H10N60C to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H10N60C to220f

293151
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLD014
Полевые транзисторы

Транзистор IRLD014

290300
5,60 BYN
ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF7416
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7416

259904
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 61 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm Тип корпуса: SO8
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.