Транзистор FDS8978

Транзистор FDS8978

Артикул: 276349

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm

SO8

3,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276349
Новый товар

Просмотренные товары

Стеклотекстолит гибкий 0,25 х 350 х 800 мм
Стеклотекстолит листовой СТЭФ

Стеклотекстолит гибкий 0,25 х 350 х 800 мм

20728
18,00 BYN
Марка стеклотекстолита СТЭФ — базовая марка, самая востребованная за счет сочетания более низкой стоимости в сравнении с другими марками стеклотекстолита и оптимальным сочетанием характеристик.Марка СТЭФ, имея хорошие электроизоляционные свойства, получила широкое применение в сфере производства электрооборудования и электротехники.
Фторопласт круг ф30 х 200 мм
Плиты из фторопласта, круг, жгут

Фторопласт круг ф30 х 200 мм

11574
58,00 BYN
Фторопласт-4 - уникальный материал, полученный химическим путём. Он отличается высокой химической стойкостью.На него совершенно не действуют кислоты,океслители,щелочи и растворители.Вместе с феноменальной инертностью фторопласт-4 характеризуется малой пористостью, отличными электрическими и механическими свойствами. Хорошая механическая прочность...
Транзистор 2SC5902
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5902

304193
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK2148
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2148

304762
20,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
Транзистор APM4828 so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM4828 so8

293066
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
Транзистор 9D0N90N
Полевые транзисторы

Транзистор 9D0N90N

276118
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВремя нарастания (tr): 70 nsВыходная емкость (Cd): 183...
Транзистор 6NK70ZF
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK70ZF

276079
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2128
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2128

304759
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 60 pf...
Транзистор H9NK90Z to220f изол.
Полевые транзисторы

Транзистор H9NK90Z to220f изол.

293251
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4425
Полевые транзисторы

Транзистор AO4425

276143
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 38 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1464
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1464

292958
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
Транзистор CEB703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEB703AL

311872
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.