Транзистор 11P06 (FQD11P06) to-252 (d-pak)

Транзистор 11P06 (FQD11P06) to-252 (d-pak)

Артикул: 265394

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.185 Ohm

4,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

P-Channel MOSFET -9.4A, -60V 38W

265394
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор TK16A60W
Полевые транзисторы

Транзистор TK16A60W

276735
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK557

304893
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
Транзистор 2SK2617
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2617

304802
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор AO3414
Полевые транзисторы

Транзистор AO3414

293007
1,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор STM8405
Полевые транзисторы

Транзистор STM8405

276721
8,24 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 22 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 96 nC Выходная емкость (Cd): 145 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276561
2,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Транзистор STU9916L
Полевые транзисторы

Транзистор STU9916L

276725
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Выходная емкость (Cd): 93 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор APM3055L
Полевые транзисторы

Транзистор APM3055L

265885
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор FMA09N65GX
Полевые транзисторы

Транзистор FMA09N65GX

311919
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 177 pf...
Транзистор FDS6685 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6685 so8

293112
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1340
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1340

304717
41,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 305 pf...
Транзистор IRF7404 so8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7404 so8

293269
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 33.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm Тип корпуса: SO8
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.