Транзистор CMP100N03

Транзистор CMP100N03

Артикул: 311874

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Выходная емкость (Cd): 1300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

6,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311874

Просмотренные товары

Нихром Х20Н80 0,3 мм 200 г ( 380 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,3 мм 200 г ( 380 м )

13366
134,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...
Нихром Х20Н80 0,2 мм 200 г ( 760 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,2 мм 200 г ( 760 м )

12510
143,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...
Микросхема 533ИР9 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ИР9 Au

300187
17,20 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ИР9 представляет собой восьмибитовый сдвиговый регистр с параллельным вводом информации.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 412 интегральных элементов.Корпус типа 402.16-32, масса не более 1,1 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая...
Микросхема 1533ИР33 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533ИР33 Au

299809
27,00 BYN
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ. Микросхемы 1533ИР33 представляют собой восьмиразрядный буферный регистр.Применение выхода с тремя состояниями и увеличенная нагрузочная способность обеспечивает работу непосредственно на магистраль без дополнительных схем интерфейса.Содержат 414 интегральных элементов.Корпус типа...
Транзистор 11N80C3 (SPP11N80C3) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 11N80C3 (SPP11N80C3) to-220

265393
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Общий заряд затвора (Qg): 64 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Транзистор
Биполярные транзисторы

Транзистор

312449
16,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -130 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 260 Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц Корпус: TO-3PF

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3455
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3455

304857
15,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор 2SK1191
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1191

292952
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2500 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Транзистор 37N50A
Полевые транзисторы

Транзистор 37N50A

275993
18,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRL3705N (Z)
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3705N (Z)

266075
19,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 65.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Транзистор IRG4PH30K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PH30K

276505
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 175 TO247
Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

282624
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1535
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1535

304736
10,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 45 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
Транзистор IRFI840G
Полевые транзисторы

Транзистор IRFI840G

276449
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор RJ3077
Полевые транзисторы

Транзистор RJ3077

276694
25,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 210 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
Транзистор BSP254
Полевые транзисторы

Транзистор BSP254

276282
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...
Транзистор AOD518
Полевые транзисторы

Транзистор AOD518

311839
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор SMK1265FD to220f
Полевые транзисторы

Транзистор SMK1265FD to220f

293401
8,40 BYN
Наименование прибора: SMK1265FD Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 43...
Транзистор IRFPC40
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPC40

276466
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3566
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3566

264842
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.