Транзистор 2N5457

Транзистор 2N5457

Артикул: 302732

Транзистор JFET

6,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
25.0 V
Номинальный Ток
10.0 mA
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
200 mW
Напряжение Сток-исток (Vds)
25.0 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
25 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
25 V
Обратное напряжение пробоя
25 V
Входная емкость (Ciss)
7pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность
625 mW
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
625 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-92-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-92-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302732

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ512
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ512

292950
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
Транзистор K2717
Полевые транзисторы

Транзистор K2717

276599
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 45 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор H21NM60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H21NM60 to220f

293183
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6875 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6875 so8

293114
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Транзистор K50T60 (IKW50N60T)
Полевые транзисторы

Транзистор K50T60 (IKW50N60T)

276646
31,64 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор 2SK2769
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2769

304820
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 75 pf...
Транзистор 2SK3307
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3307

304851
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 90 nC Время нарастания (tr): 1260...
Транзистор HUF75229P3
Полевые транзисторы

Транзистор HUF75229P3

293253
19,20 BYN
Наименование прибора: HUF75229P3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A Максимальная температура...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.