Транзистор AON7212

Транзистор AON7212

Артикул: 276177

30V N-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=40A, Pd=36W, Rds(on)=6 mOhm DFN3*3 EP

3,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276177
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC3264
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3264

303749
43,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC550
Биполярные транзисторы

Транзистор BC550

277922
0,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STP7NK40Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP7NK40Z

312640
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FS2KM-16A
Полевые транзисторы

Транзистор FS2KM-16A

271130
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор FDS8884
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8884

276345
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STM4470
Полевые транзисторы

Транзистор STM4470

312043
15,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Общий заряд затвора (Qg): 135 nC Выходная емкость (Cd): 240 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор 38N60L
Полевые транзисторы

Транзистор 38N60L

275995
39,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF8313
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8313

276418
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор AP4575GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4575GM

276206
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6(4.2) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6(9.5) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор 2SK537
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK537

304891
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 70 pf...
Транзистор 50N60FL
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60FL

276029
16,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 417 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.