Транзистор 3N60 ( 3A 600V) (STP3N60,FQPF3N60)

Транзистор 3N60 ( 3A 600V) (STP3N60,FQPF3N60)

Артикул: 264702

N-Channel 2.7A 600V 35W_Возможные аналоги UTC3N60,AOD3N60

5,04 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264702
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор J352 ( хорошая замена 2SJ201 )
Полевые транзисторы

Транзистор J352 ( хорошая замена 2SJ201 )

276550
32,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1000 pf Сопротивление сток-исток...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOD434
Полевые транзисторы

Транзистор AOD434

276168
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
Транзистор H11N65 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H11N65 to220f

293157
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Транзистор FQP60N06
Полевые транзисторы

Транзистор FQP60N06

276050
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
Транзистор IRFI540N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFI540N

276448
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 62.7 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 13NM60 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 13NM60 dpak (to252)

293164
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 11NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор 11NM50N

275880
7,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLML6401
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML6401

276539
1,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 10 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm SOT23
Транзистор BUZ91A
Полевые транзисторы

Транзистор BUZ91A

274676
3,52 BYN
Максимальный ток стока8АМаксимальное напряжение сток-исток600VСопротивление сток-исток (откр.)< 0,9 omМаксимальная мощность рассеивания80WДопустимое напряжение на затворе±20VПороговое напряжение на затворе 2,1.. 4VТок утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 1 uAВремя включения/выключения 20/70nS (тип.)Время восстановления диода 250nS...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.