Транзистор 3N60 ( 3A 600V) (STP3N60,FQPF3N60)

Транзистор 3N60 ( 3A 600V) (STP3N60,FQPF3N60)

Артикул: 264702

N-Channel 2.7A 600V 35W_Возможные аналоги UTC3N60,AOD3N60

5,04 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264702
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC5888
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5888

275556
4,44 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 07N120
Полевые транзисторы

Транзистор 07N120

275861
15,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A TO220

В этой категории 16 товаров:

Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276551
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 50N60FL
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60FL

276029
16,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 417 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор 2SK4212
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4212

304884
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 14 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
Транзистор 2SK2800
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2800

304821
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 180 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
Транзистор IPP60R125P6
Полевые транзисторы

Транзистор IPP60R125P6

311954
43,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 219 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFPS40N50L to247
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS40N50L to247

293279
37,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IPA65R1K5CE
Полевые транзисторы

Транзистор IPA65R1K5CE

311930
16,40 BYN
Маркировка: 65S1K5CE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A Максимальная температура канала...
Транзистор H3N80 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H3N80 to220f

293194
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 57 pf...
Транзистор 2SK1469
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1469

304731
22,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
Транзистор IRLR7843
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR7843

276542
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 161 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.