Транзистор PHP8N50E

Транзистор PHP8N50E

Артикул: 279546

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

5,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
279546

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STW18NM80
Полевые транзисторы

Транзистор STW18NM80

312051
31,60 BYN
Маркировка: 18NM80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор R5016ANX
Полевые транзисторы

Транзистор R5016ANX

276680
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2N06L
Полевые транзисторы

Транзистор 2N06L

275974
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 65 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Транзистор 2SJ177
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ177

304658
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
View
Транзистор 2SK1271
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1271

311821
96,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 125 nC Время нарастания (tr): 30...
View
Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

293427
6,40 BYN
Наименование прибора: SUD50N024-09P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 22 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура...
View
Транзистор 2SK1119
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1119

304702
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS4435
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4435

266065
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор APM4015P B (N) (APM4015PU)
Полевые транзисторы

Транзистор APM4015P B (N) (APM4015PU)

266033
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf...
View
Транзистор FQD3P50
Полевые транзисторы

Транзистор FQD3P50

283514
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.