Транзистор FQA13N50CF (13N50)

Транзистор FQA13N50CF (13N50)

Артикул: 265429

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 218 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 43 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

6,16 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

500V, 15A, Rds=0.48 Om, с диодом

265429
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF8313
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8313

276418
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор IRF630N
Полевые транзисторы

Транзистор IRF630N

276385
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5 A Общий заряд затвора (Qg): 23.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm Тип...
Транзистор H75N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N06 to220

293230
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 5200 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK2134
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2134

264821
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm
Транзистор 2SK2886
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2886

304827
53,40 BYN
Маркировка: K2886 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор TK4P60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK4P60D

276739
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H50N03 ipak (to251)
Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 ipak (to251)

293204
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.