Транзистор IRFS830

Транзистор IRFS830

Артикул: 312621
  • Корпус - TO-220AB
  • Напряжение пробоя сток-исток 500 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1.5 мОм
  • Ток стока 4.5 А
  • Заряд затвора 38.0 нКл
  • Рассеиваемая мощность 74.0 Вт
5,20 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312621

Просмотренные товары

Транзистор P1504BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P1504BDG

276661
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10.8 ns Выходная емкость (Cd): 255 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRLML2803
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML2803

276537
1,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm SOT23
Транзистор FDS8690
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8690

276341
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор TK18A50D sc67
Полевые транзисторы

Транзистор TK18A50D sc67

293437
9,20 BYN
Наименование прибора: TK18A50D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура...
Транзистор RSS085N05 sop8
Полевые транзисторы

Транзистор RSS085N05 sop8

293373
13,60 BYN
Наименование прибора: RSS085N05 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 45 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура...
Транзистор 2SK1469
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1469

304731
22,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
Транзистор 85N06
Полевые транзисторы

Транзистор 85N06

276099
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 85 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4BC30U-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30U-S

276497
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 23A Корпус: D2Pak
Транзистор IRFB1404
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB1404

276433
12,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 162 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Выходная емкость (Cd):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.