Транзистор 20N60B3D

Транзистор 20N60B3D

Артикул: 275943

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 165W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 25

Корпус: TO247

14,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275943
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SA1767
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1767

260034
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A Предельная температура PN-перехода...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFPC40
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPC40

276466
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор R5016ANX
Полевые транзисторы

Транзистор R5016ANX

276680
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H5NK50ZFP изол
Полевые транзисторы

Транзистор H5NK50ZFP изол

293209
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLML2402
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML2402

276536
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm SOT23-3
Транзистор 2SK2480
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2480

304794
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 7 ns...
Транзистор H20N60C3 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H20N60C3 to220

293180
15,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Транзистор FDS6644
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6644

276337
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 4NK60Z (STP4NK60Z,P4NK60Z)
Полевые транзисторы

Транзистор 4NK60Z (STP4NK60Z,P4NK60Z)

264707
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPS43N50A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS43N50A

293281
49,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 47 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3019TL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3019TL

304836
1,20 BYN
Маркировка: KN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.