Транзистор FQPF19N20C

Транзистор FQPF19N20C

Артикул: 302607

Труба MOS

9,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Рассеяние Мощности
43 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
200 V
Время Нарастания
150 ns
Входная емкость (Ciss)
830pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
43 W
Время падения
115 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
43 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.16 mm
Ширина
4.7 mm
Высота
9.19 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
302607

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM3055L
Полевые транзисторы

Транзистор APM3055L

265885
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор FDD6875
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6875

276313
14,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm DPAK
View
Транзистор IRFPE40
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPE40

259935
30,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 1NK60Z so-8
Полевые транзисторы

Транзистор 1NK60Z so-8

275937
1,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор 6N70F
Полевые транзисторы

Транзистор 6N70F

276076
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27.3 ns Выходная емкость (Cd): 98.2...
View
Транзистор STB70NF3LLT4
Полевые транзисторы

Транзистор STB70NF3LLT4

312638
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор RU6099 to220
Полевые транзисторы

Транзистор RU6099 to220

293375
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор TK11A65W
Полевые транзисторы

Транзистор TK11A65W

312092
12,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
View
Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)

293296
30,80 BYN
Наименование прибора: IXTA60N20T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.