Транзистор 5N80A

Транзистор 5N80A

Артикул: 312576

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 52 nC

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 110 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

10,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312576

Просмотренные товары

Транзистор 2SC2Т307
Транзисторы отечественные

Транзистор 2SC2Т307

259433
4,00 BYN
Транзисторы 2Т307А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.Выпускаются в сопроводительной таре.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,002 г
Транзистор 2SK3047
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3047

304837
45,20 BYN
Маркировка: K3047 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IPW60R165CP (6R165)
Полевые транзисторы

Транзистор IPW60R165CP (6R165)

265439
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Общий заряд затвора (Qg): 39 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm Тип корпуса: TO247
Транзистор H3N80 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H3N80 to220f

293194
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 57 pf...
Транзистор R5016ANX
Полевые транзисторы

Транзистор R5016ANX

276680
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IHW30N135R3
Полевые транзисторы

Транзистор IHW30N135R3

304999
32,00 BYN
Маркировка: H30R1353 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304695
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор 11N90M to-247
Полевые транзисторы

Транзистор 11N90M to-247

275877
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K20T60
Полевые транзисторы

Транзистор K20T60

276577
17,00 BYN
Маркировка: K20T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 166W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A TO247
Транзистор H13N50C to220is
Полевые транзисторы

Транзистор H13N50C to220is

293162
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 218 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK4086 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4086 to220f

292996
8,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.