Транзистор 2SJ308

Транзистор 2SJ308

Артикул: 304662

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 75 ns

Выходная емкость (Cd): 500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm

17,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304662

Просмотренные товары

Транзистор 2Т913А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т913А Au

300848
30,00 BYN
Транзисторы 2Т913А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор CEP6060L
Полевые транзисторы

Транзистор CEP6060L

276301
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52.4 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 4.5 ns Выходная емкость (Cd): 300...
Транзистор 2SK1611
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1611

304741
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 90 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRG4BC20UD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20UD-S

276493
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
Транзистор 2SK544
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK544

304892
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 90 Ohm
Транзистор AOD417
Полевые транзисторы

Транзистор AOD417

276166
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Транзистор IRFB31N20D (B31N20D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB31N20D (B31N20D)

265440
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm Тип...
Транзистор PHP8N50E
Полевые транзисторы

Транзистор PHP8N50E

279546
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Транзистор TK20A60U
Полевые транзисторы

Транзистор TK20A60U

276736
9,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор APT1003RKLL
Полевые транзисторы

Транзистор APT1003RKLL

276268
12,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 135 pf...
Транзистор FDP3651U
Полевые транзисторы

Транзистор FDP3651U

276320
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 255 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.