Транзистор BSP76

Транзистор BSP76

Артикул: 304151

Чип аналогового переключателя

8,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Количество Выходных Интерфейсов2

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-40 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)3.8 W

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов4

Корпус/ПакетSOT-223-4

размеры

Длина6.5 mm

Ширина3.5 mm

Высота1.6 mm

Корпус/ПакетSOT-223-4

304151

Просмотренные товары

Транзистор BC308B
Биполярные транзисторы

Транзистор BC308B

260099
0,96 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 180 до 460 Граничная частота коэффициента передачи...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS4501H
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4501H

311910
7,00 BYN
Наименование прибора: FDS4501H Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg):...
Транзистор FDS6690 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6690 so8

293113
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDD8780 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD8780 dpak (to252)

293104
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор H75NF75
Полевые транзисторы

Транзистор H75NF75

293232
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 2SK1096
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1096

304699
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор 2SK1420
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1420

304727
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 102 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
Транзистор Si2301BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2301BDS sot23

293381
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2301BDS Маркировка: L1* Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.95 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A...
Транзистор 7N95K3
Полевые транзисторы

Транзистор 7N95K3

276089
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 950 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6298
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6298

276336
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPC60LC
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPC60LC

294956
33,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FIR10N80P
Полевые транзисторы

Транзистор FIR10N80P

289825
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.