Транзистор TK11A65D

Маркировка: K11A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 157 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS