Транзистор S6025L

Транзистор S6025L

Артикул: 302636
26,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Максимальная пиковая мощность затвора (PGM): 35 Вт

Максимальное повторяющееся пиковое и выключенное напряжение (VDRM): 600 в

Максимальный средний ток включения (IT(AVR)): 16 а

Максимальный СРЕДНЕКВАДРАТИЧНЫЙ ток включения (IT(RMS)): 25 а

Неповторяющийся пиковый ток включения перенапряжения (ITSM): 300 А

Критическая повторяющаяся скорость нарастания тока включения (dI/dt): 150 а/МКС

Критическая скорость нарастания напряжения в нерабочем состоянии (dV/dt): 200 в/МКС

Максимальный диапазон рабочих температур соединения и хранения (Tstg, Tj): -40..125 °C

Переход к тепловому сопротивлению корпуса (RTH(j-c)): 2,5 К/Вт

Напряжение срабатывания затвора (VGT): 1,5 в

Пиковое падение напряжения в состоянии включения (вТМ): 1,6 в

Пусковой ток затвора (IGT): 30 мА

Ток удержания (IH): 40 мА

302636

Просмотренные товары

Транзистор 2Т809А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т809А

301056
15,00 BYN
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.Масса накидного фланца не более 12 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические условия:...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20N60KDA
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60KDA

275947
13,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор TPC8111
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8111

276750
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор RJK2017DPE d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор RJK2017DPE d2pak (to263)

293357
20,80 BYN
Наименование прибора: RJK2017DPE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40...
View
Транзистор Si8050SD d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор Si8050SD d2pak (to263)

293397
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 40GP90B
Полевые транзисторы

Транзистор 40GP90B

276001
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 543 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO247
View
Транзистор TSF7N80M
Полевые транзисторы

Транзистор TSF7N80M

312099
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 100 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
View
Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304694
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
View
Транзистор H75N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N06 to220

293230
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 5200 pf Сопротивление сток-исток...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.