Транзистор IPB80N04S2

Транзистор IPB80N04S2

Артикул: 311931

Маркировка: 2N0404

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 127 nC

Время нарастания (tr): 45 ns

Выходная емкость (Cd): 2200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm

16,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311931

Просмотренные товары

Микросхема 574УД4А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД4А Au

300546
12,80 BYN
Микросхемы 574УД4А представляют собой быстродействующий операционный усилитель с малыми входными токами.Предназначены для построения схем выборки и хранения, высокоомных широкополосных усилителей и компараторов, широкополосных генераторов с большим выходным напряжением.Не имеют внутренней частотой коррекции.Предназначены для работы в электронной...
Микросхема ADG431BRZ
Микросхемы импортные

Микросхема ADG431BRZ

305086
11,20 BYN
Тип переключатель Конфигурация 4 х spst-nc Сопротивление канала во включенном состоянии (Max), Ом 24 Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±) +12, ±15 Время включения, Ton (Max), нс 90 Время отключения, Toff (Max), нс 60 Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус soic-16 Вес, г 0.35

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SSF10N90A
Полевые транзисторы

Транзистор SSF10N90A

302445
33,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор TK80E08K3
Полевые транзисторы

Транзистор TK80E08K3

294934
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор APM3095P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор APM3095P dpak (to252)

293062
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 8 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор H75N03 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N03 to220

293229
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFD9110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD9110

312617
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STA3250D
Полевые транзисторы

Транзистор STA3250D

312035
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор FDS8690
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8690

276341
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 20N60C3 (SPA20N60C3)
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60C3 (SPA20N60C3)

265404
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.