Транзистор IPA65R1K5CE

Маркировка: 65S1K5CE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC

Время нарастания (tr): 5.9 ns

Выходная емкость (Cd): 18 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220FP