Транзистор SSF7509

Транзистор SSF7509

Артикул: 307604

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 93.6 nC

Время нарастания (tr): 15.2 ns

Выходная емкость (Cd): 330 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

9,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
307604

Просмотренные товары

Транзистор 2SC3950 TO126F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3950 TO126F

303873
13,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BC847C
Биполярные транзисторы

Транзистор BC847C

275123
0,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SK2961
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2961

304830
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK117BL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK117BL

304705
5,52 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm Тип корпуса: TO92

Покупатели этого товара так же приобрели:

КПТ-8 (теплопроводн.паста) 10гр шприц, шт.
Теплопроводные пасты, термопроводящая подложка

КПТ-8 (теплопроводн.паста) 10гр шприц, шт.

4,00 BYN
Теплопроводность:    0.6–1.0 Вт/(м·К)   Плотность:    2,6–3,0 г/см³                                     Температурный диапазон:  -60°C до +180°C (стабильность при экстремальных температурах)                               Консистенция:   Густая, пастообразная (требует нанесения шпателем)                           Цвет:  Белый...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS8928A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8928A

276346
7,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор H3N60 метал
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
Транзистор FDS4935A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4935A

265874
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор SI2305 ( A50T )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2305 ( A50T )

276712
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор K669
Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 60NF10T4
Полевые транзисторы

Транзистор 60NF10T4

276063
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор H2N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60 to220

293188
4,40 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
Транзистор IRF7460
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7460

259906
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDD5614P
Полевые транзисторы

Транзистор FDD5614P

265890
3,52 BYN
 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFB4227
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4227

276437
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm Тип...

Покупатели этого товара так же приобрели:

КПТ-8 (теплопроводн.паста) 10гр шприц, шт.
Теплопроводные пасты, термопроводящая подложка

КПТ-8 (теплопроводн.паста) 10гр шприц, шт.

4,00 BYN
Теплопроводность:    0.6–1.0 Вт/(м·К)   Плотность:    2,6–3,0 г/см³                                     Температурный диапазон:  -60°C до +180°C (стабильность при экстремальных температурах)                               Консистенция:   Густая, пастообразная (требует нанесения шпателем)                           Цвет:  Белый...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.