Транзистор BC847C

Транзистор BC847C

Артикул: 275123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 520

SOT23

0,72 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275123
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AP9972GP
Полевые транзисторы

Транзистор AP9972GP

276234
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 32 nC Время нарастания (tr): 58 ns...
View
КТ816В
Транзисторы отечественные

КТ816В

299911
1,32 BYN
Транзисторы КТ816В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип...
View
Транзистор 2SA733
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA733

264676
0,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ3107Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Б

301193
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:
View
Тиристор BT149D
Тиристоры импорт

Тиристор BT149D

279993
2,00 BYN
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 400 Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 400 Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А 0.8 Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А 8 Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В 1.2 Наименьший постоянный...
View
Транзистор КТ3107Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Ж

301196
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FGW75N60HD
Биполярные транзисторы

Транзистор FGW75N60HD

311643
47,60 BYN
Наименование: FGW75N60HD Маркировка: 75G60HD Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75...
View
Транзистор BDP954
Биполярные транзисторы

Транзистор BDP954

303744
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 3 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 475 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-223
View
Транзистор 2SC5931
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5931

304196
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3242
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3242

303693
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3030
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3030

303655
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA684
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA684

260036
2,77 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
View
Транзистор BF258
Биполярные транзисторы

Транзистор BF258

275173
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1260
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1260

275068
1,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SC5859
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5859

304190
29,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 210 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 23 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA812
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA812

303065
0,80 BYN
Маркировка: M4_M5_M6_M7 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ3107Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Б

301193
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.