Транзистор AP88L02S

Транзистор AP88L02S

Артикул: 304918

 Mosfet N-Channel 25V 88A 5mom

2,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304918

Просмотренные товары

Микросхема КР574УД2
Микросхемы отечественные

Микросхема КР574УД2

260685
3,30 BYN
 представляют собой сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением.Применяются для создания активных фильтров, повторителей, интеграторов, суммирующих усилителей, схем дискретизации, входных усилителей датчиков различных физических величин. Не имеют внутренней частотной коррекции.Содержат 74 интегральных элемента.Корпус...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP40T03GH (40T03)
Полевые транзисторы

Транзистор AP40T03GH (40T03)

265423
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор MMF60R280Q
Полевые транзисторы

Транзистор MMF60R280Q

311965
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 06N80C3
Полевые транзисторы

Транзистор 06N80C3

275859
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Общий заряд затвора (Qg): 27 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm Тип корпуса: DPAK,
View
Транзистор 2SK3078
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3078

304843
5,40 BYN
Маркировка: U* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 10 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
View
Транзистор 10P20
Полевые транзисторы

Транзистор 10P20

289826
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 73 ns Выходная емкость (Cd): 590 pf...
View
Транзистор STD9NM60N (9NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор STD9NM60N (9NM60N)

265447
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IPA60R380C6
Полевые транзисторы

Транзистор IPA60R380C6

311929
14,80 BYN
Маркировка: 6R380C6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.6 A Максимальная температура канала...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.