Транзистор AP85L02H

Транзистор AP85L02H

Артикул: 304917

 Mosfet N-Channel 25V 88A 5mom

2,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304917

Просмотренные товары

Транзистор D2102
Биполярные транзисторы

Транзистор D2102

275646
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3667
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3667

304865
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 33 nC Время нарастания (tr): 20...
View
Транзистор PHKD13N03LT
Полевые транзисторы

Транзистор PHKD13N03LT

293346
8,40 BYN
Наименование прибора: PHKD13N03LT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор IRF7316
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7316

259896
3,30 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 A Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm Тип...
View
Транзистор STD4NK50ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор STD4NK50ZT4

312038
5,20 BYN
Маркировка: D4NK50Z Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор STD12N50M2 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD12N50M2 dpak (to252)

293407
8,40 BYN
Наименование прибора: STD12N50M2 Маркировка: 12N50M2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A...
View
Транзистор 2SK1469
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1469

304730
22,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
View
Транзистор 80N28T
Полевые транзисторы

Транзистор 80N28T

276096
24,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 280 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор BUK7620-100A
Полевые транзисторы

Транзистор BUK7620-100A

290622
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
View
Транзистор IRG4PC50FD
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PC50FD

276501
15,76 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 39A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.