Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)

Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)

Артикул: 276060

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A

Время нарастания: 35

ISOPLUS247

21,56 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276060
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 169УЛ2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 169УЛ2 Au

299580
16,20 BYN
Микросхемы 169-серии представляют собой схемы интерфейса, ТТЛ-типа, выполненные по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, предназначенные для работы в устройствах управления цепями записи и считывания информации в адресных и разрядных шинах и преобразования сигналов, считываемых с блоков памяти запоминающих устройств ЦВМ и устройств дискретной...
Микросхема 530ЛП5 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 530ЛП5 Au

300101
13,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии с диодами Шоттки и p-n переходом.Микросхемы 530ЛП5 представляют собой четыре двухвходовых элемента Исключающее ИЛИ.Содержат 176 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Технические условия:...
Транзистор 2SC5030F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5030F

304087
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2274E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2274E

303602
2,12 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ599
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ599

304677
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор 40N50L
Полевые транзисторы

Транзистор 40N50L

276004
21,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFU120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU120N

312623
6,80 BYN
Корпус - I-PAK Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 210.0 мОм Ток стока 9.1 А Заряд затвора 16.7 нКл Термосопротивление 3.2 К/Вт Рассеиваемая мощность 39 Вт
Транзистор SI2305 ( A50T )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2305 ( A50T )

276712
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор STD90NH02LT4 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD90NH02LT4 dpak (to252)

293411
6,40 BYN
Наименование прибора: STD90NH02LT4 Маркировка: D90NH02L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 24 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A...
Транзистор 2SK105
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK105

304693
17,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650...
Транзистор 2SK2800
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2800

304821
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 180 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
Транзистор 2SK3408
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3408

304856
6,00 BYN
Маркировка: XA_XF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 43 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 14 ns Выходная...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.