Транзистор 2SK3271

Транзистор 2SK3271

Артикул: 304848

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 155 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 200 ns

Выходная емкость (Cd): 1250 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO3P

40,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304848

Просмотренные товары

Транзистор 2SC4614S
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4614S

304054
22,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5406
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5406

275481
13,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3467
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3467

304858
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 76 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 23 ns Выходная емкость (Cd): 1200 pf...
View
Транзистор IRF3205S
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3205S

294958
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 97.3 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор 180N04S3 ( 3QN0402 )
Полевые транзисторы

Транзистор 180N04S3 ( 3QN0402 )

275930
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS6679
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6679

276339
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 21NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 21NM60N

275958
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDD6612A
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6612A

295009
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK792
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK792

293002
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
View
Транзистор IRFB31N20D (B31N20D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB31N20D (B31N20D)

265440
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm Тип...
View
Транзистор TK8A60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A60D

276746
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRL540N
Полевые транзисторы

Транзистор IRL540N

266068
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 49.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm Тип корпуса: TO220AB
View
Транзистор 2SK2647 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2647 to220

292976
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 75 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.