Транзистор STP3NK90Z

Транзистор STP3NK90Z

Артикул: 305023
11,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 22.7 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 63 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

305023

Просмотренные товары

Транзистор TK7A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK7A50D

276743
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Микросхема L7810CV
Микросхемы импортные

Микросхема L7810CV

277522
2,12 BYN
представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением 10,0 В положительной полярности.Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOT416 to220
Полевые транзисторы

Транзистор AOT416 to220

293042
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 7N52DK3
Полевые транзисторы

Транзистор 7N52DK3

276086
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3316
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3316

304852
31,20 BYN
Маркировка: K3316 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 60R070P6 ( 6R070P6 )
Полевые транзисторы

Транзистор 60R070P6 ( 6R070P6 )

276067
22,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 391 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 53.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STD100NH03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD100NH03L dpak (to252)

293406
10,72 BYN
Наименование прибора: STD100NH03LT4 Маркировка: D100NH03L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A...
Транзистор 02N80C3
Полевые транзисторы

Транзистор 02N80C3

275848
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.7 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор FDS9945 so-8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9945 so-8

266091
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Транзистор AP4501GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GM

276195
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(10) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор IRG4BC20U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20U

276492
12,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
Транзистор IRFD320
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD320

276445
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STP5NK80Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP5NK80Z

260376
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.