Транзистор 200NF04 (STP200NF04)

Транзистор 200NF04 (STP200NF04)

Артикул: 265402

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 170 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO220

9,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
  N-Channel 40V - 120A 310W  
265402
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор STF8NM60ND
Полевые транзисторы

Транзистор STF8NM60ND

312042
7,20 BYN
Маркировка: 8NM60ND Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFU3709Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU3709Z

276490
8,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 86 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор 18N50 (FDPF18N50,FQPF18N50) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 18N50 (FDPF18N50,FQPF18N50) to-220f

265400
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор IRLD014
Полевые транзисторы

Транзистор IRLD014

290300
5,60 BYN
ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2679
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2679

304814
10,80 BYN
Маркировка: K2679 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор AO4801 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4801 soic8

293013
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор FQB12P20
Полевые транзисторы

Транзистор FQB12P20

302485
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 31 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 40N50L
Полевые транзисторы

Транзистор 40N50L

276004
21,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 13NM60N TO220F
Полевые транзисторы

Транзистор 13NM60N TO220F

312041
13,00 BYN
Маркировка: 13NM60N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK246Y
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246Y

304793
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.