Транзистор FS10KM-10

Транзистор FS10KM-10

Артикул: 303843
9,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 135 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220FN

303843

Просмотренные товары

Транзистор КТ117Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ117Г

313940
5,00 BYN
Основные технические характеристики транзистора КТ117Г:• Структура транзистора: n-база• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;• Uэбо проб - Пробивное напряжение...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1202
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1202

304709
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRFR5305 to-252
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR5305 to-252

276478
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор TK8P60V dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор TK8P60V dpak (to252)

293441
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STP200N6F3
Полевые транзисторы

Транзистор STP200N6F3

312048
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ201 to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ201 to92

292946
4,72 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Транзистор 04N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор 04N50C3

275853
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор FDS9926
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9926

276352
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03...
Транзистор 21NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 21NM60N

275958
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3
Полевые транзисторы

Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3

265444
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор J352 ( хорошая замена 2SJ201 )
Полевые транзисторы

Транзистор J352 ( хорошая замена 2SJ201 )

276550
32,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1000 pf Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.