Транзистор STF3N62K3

Транзистор STF3N62K3

Артикул: 305019

Маркировка: 3N62K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 620 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 6.8 ns

Выходная емкость (Cd): 55 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

9,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
305019

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP9926GEM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9926GEM

311843
25,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор K2475
Полевые транзисторы

Транзистор K2475

276588
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90* ns Выходная емкость (Cd): 270 pf...
Транзистор 2SJ377 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ377 dpak (to252)

292949
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H5N3011P to3p
Полевые транзисторы

Транзистор H5N3011P to3p

293206
28,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 88 A Общий заряд затвора (Qg): 95 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Транзистор SSG4503
Полевые транзисторы

Транзистор SSG4503

312034
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7(8) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор IRFL014N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFL014N

276454
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 31N50L
Полевые транзисторы

Транзистор 31N50L

275986
28,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор P1504BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P1504BDG

276661
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10.8 ns Выходная емкость (Cd): 255 pf...
Транзистор Si2306BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2306BDS sot23

293382
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2306BDS Маркировка: L6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.16 A...
Транзистор AO4468
Полевые транзисторы

Транзистор AO4468

276153
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.