Транзистор ME4946 sop8

Транзистор ME4946 sop8

Артикул: 293305

Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET,Vdss=60V,Id=5A,Pd=2,7W, Rds(on)=33 mOhm

4,80 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293305

Просмотренные товары

Диоды СВЧ 2А202А ОС
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 2А202А ОС

294576
16,64 BYN
Основные технические параметры детекторного СВЧ диода 2А202А ОС:• Чувствительность по току: не менее 2,5 А/Вт;• Добротность: не менее 40 Вт;• Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 1,5;• Дифференциальное сопротивление: 400...1000 Ом;• Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность: 20 мВт;• Импульсная рассеиваемая СВЧ-мощность: 300 мВт;• Температура...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1611
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1611

304741
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 90 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRFP460N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP460N

274397
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор Si4825 so8
Полевые транзисторы

Транзистор Si4825 so8

293392
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор H2N60B to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60B to220f

293189
3,56 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
Транзистор 2SK3342
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3342

304853
9,20 BYN
Маркировка: K3342 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK184BL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK184BL

304750
27,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Транзистор K2605
Полевые транзисторы

Транзистор K2605

276593
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор FDPF33N25T
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF33N25T

279544
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор K3082
Полевые транзисторы

Транзистор K3082

276618
18,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 350 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 5N60C
Полевые транзисторы

Транзистор 5N60C

276044
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK792
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK792

293002
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.