Транзистор SSS10N60B

Транзистор SSS10N60B

Артикул: 302430

Труба MOS

8,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
800 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
50.0 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
9.00 A
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220
размеры
Корпус/Пакет
TO-220
302430

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 11NK100Z
Полевые транзисторы

Транзистор 11NK100Z

275878
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK738
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK738

304895
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор H18NM80 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H18NM80 to247

293175
26,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 03N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 03N60C3

275851
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор 9NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50Z

276121
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление...
Транзистор 2SK4110
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4110

304880
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Время нарастания (tr): 20 ns...
Транзистор IRFR3706
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR3706

276475
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP4229
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4229

276459
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm Тип...
Транзистор IRF7460
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7460

259906
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.