Транзистор FKV550T

Транзистор FKV550T

Артикул: 303836
54,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 600 ns

Выходная емкость (Cd): 1100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220F

303836

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 18NM80
Полевые транзисторы

Транзистор 18NM80

275933
19,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3117
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3117

311823
11,80 BYN
Маркировка: K3117 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK4212
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4212

304884
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 14 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
Транзистор FQA24N50
Полевые транзисторы

Транзистор FQA24N50

279507
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 250 ns Выходная емкость (Cd): 520...
Транзистор AO4803
Полевые транзисторы

Транзистор AO4803

293014
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 380N60E
Полевые транзисторы

Транзистор 380N60E

275994
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )
Полевые транзисторы

Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )

276084
28,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 140 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор K1070
Полевые транзисторы

Транзистор K1070

276558
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор IRL3705N (Z)
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3705N (Z)

266075
19,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 65.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.