Транзистор 2SK2025

Транзистор 2SK2025

Артикул: 264817

N-Channel MOS-FET,600V 2,4W 4A 60W

8,52 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264817
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRGB4086
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGB4086

311723
23,20 BYN
Наименование: IRGB4086 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 Тип корпуса: TO220AB

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 100N06P
Полевые транзисторы

Транзистор 100N06P

275863
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 130 ns Выходная емкость (Cd): 1060...
Транзистор 070P05
Полевые транзисторы

Транзистор 070P05

275860
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 45 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Время нарастания (tr): 35 ns...
Транзистор FDD6530
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6530

276312
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор RSS065N06 sop8
Полевые транзисторы

Транзистор RSS065N06 sop8

293370
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 90NF20
Полевые транзисторы

Транзистор 90NF20

276116
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 83 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1693
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1693

311822
48,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 260 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK2917
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2917

292979
16,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FQPF630
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF630

311920
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор RSS090P03
Полевые транзисторы

Транзистор RSS090P03

312028
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFZ25
Полевые транзисторы

Транзистор IRFZ25

259942
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор K2674
Полевые транзисторы

Транзистор K2674

276597
29,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 150 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор H60NF06T4 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF06T4 dpak (to252)

293218
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.