Транзистор IRF3710Z

Транзистор IRF3710Z

Артикул: 303079

Труба MOS

12,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
14.0 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
160 W
Серия Деталей
IRF3710Z
Напряжение Сток-исток (Vds)
100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
100V (min)
Непрерывный Ток Стока (Ids)
59A
Время Нарастания
77 ns
Время падения
56 ns
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220
размеры
Корпус/Пакет
TO-220
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 175℃
303079

Просмотренные товары

Транзистор FDS6900AS so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6900AS so8

293115
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 11 nC Сопротивление сток-исток...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 03N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 03N60C3

275851
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор STW19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор STW19NM50N

312052
16,00 BYN
Маркировка: 19NM50N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK1350
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1350

292955
23,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 580 pf...
Транзистор 85T03GP
Полевые транзисторы

Транзистор 85T03GP

276110
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 33 nC Время нарастания (tr): 77...
Транзистор AOD518
Полевые транзисторы

Транзистор AOD518

311839
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 26NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM60N

275970
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1462
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1462

304729
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
Транзистор TPC8116
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8116

276751
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор FS2KM-16A
Полевые транзисторы

Транзистор FS2KM-16A

271130
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор STP110N10F7
Полевые транзисторы

Транзистор STP110N10F7

312046
15,20 BYN
Маркировка: 110N10F7 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A Максимальная температура канала...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.