Транзистор IRF250

Транзистор IRF250

Артикул: 303062

Труба MOS

226,96 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальная Мощность
150 W
Количество Стежков
2
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
85 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
150 W
Серия Деталей
IRF250
Пороговое Напряжение
4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
200 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
200 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
30.0 A
Входная емкость (Ciss)
3500pF @25V(Vds)
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
150000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
2
Корпус/Пакет
TO-3
размеры
Высота
7.74 mm
Корпус/Пакет
TO-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
303062

Просмотренные товары

Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Диоды СВЧ 2А139БС-4
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 2А139БС-4

294574
42,16 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А139АС-4:• Рабочая частота: до 3 ГГц;• Нормированный коэффициент шума: не более 6 дБ;• Непрерывная рассеиваемая мощность: 150 мВт;• Импульсная рассеиваемая мощность: 500 мВт;• Температура окружающей среды: -60...+125°С;• Минимальная наработка: 25000 ч;• Срок сохраняемости: 25 лет
Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )
Полевые транзисторы

Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )

276582
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm TO220

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STD9NM60N (9NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор STD9NM60N (9NM60N)

265447
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2746
Полевые транзисторы

Транзистор K2746

276602
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm Тип корпуса: TO3P
Транзистор FQA13N50CF (13N50)
Полевые транзисторы

Транзистор FQA13N50CF (13N50)

265429
6,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 218 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP4668
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4668

276464
34,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 130 A Общий заряд затвора (Qg): 161 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0097 Ohm Тип...
Транзистор 2SK2607
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2607

304800
24,00 BYN
Маркировка: K2607 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3
Полевые транзисторы

Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3

265444
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор P5506HVG
Полевые транзисторы

Транзистор P5506HVG

276675
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AO4420
Полевые транзисторы

Транзистор AO4420

276141
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK1953
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1953

304755
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 12 nC Время нарастания (tr): 4 ns...
Транзистор AOD4184
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4184

290621
1,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор FDS8858
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8858

276342
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.