Транзистор RJH60F7

Транзистор RJH60F7

Артикул: 276695

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 600V,50A,VCE(sat) (V) =1.75,Pch (W) =328.9_с диодом_with diode
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: Без диода
Ток, A: 50

23,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276695
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор КП743А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП743А1

301573
2,20 BYN
КPЕМНИЕВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАPНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТPАНЗИСТОPЫ С ИЗОЛИPОВАННЫМ ЗАТВОPОМ, ОБОГАЩЕНИЕМ N-КАНАЛА И ВСТРОЕННЫМ ОБРАТНОСМЕЩЕННЫМ ДИОДОМ. ПPЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ИСТОЧНИКАХ ВТОPИЧНОГО ЭЛЕКТPОПИТАНИЯ С БЕСТPАНСФОPМАТОPНЫМ ВХОДОМ,В PЕГУЛЯТОPАХ , СТАБИЛИЗАТОPАХ И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ С НЕПPЕPЫВНЫМ ИМПУЛЬСНЫМ УПPАВЛЕНИЕМ, CХЕМАХ УПPАВЛЕНИЯ...
Транзистор 2SC4109
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4109

312500
20,56 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 16 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 140 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 50 Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 200NF04 (STP200NF04)
Полевые транзисторы

Транзистор 200NF04 (STP200NF04)

265402
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2148
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2148

304762
20,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 220 pf...
Транзистор STM6960 SO8
Полевые транзисторы

Транзистор STM6960 SO8

276718
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Выходная емкость (Cd): 75 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор H60NF06 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF06 d2pak (to263)

293215
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STQ1NK60ZR to-92
Полевые транзисторы

Транзистор STQ1NK60ZR to-92

302365
2,00 BYN
Серия SuperMESH™ получена благодаря экстремальной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя компоновки ST на основе полос PowerMESH™. В дополнение к значительному снижению сопротивления включению, особое внимание уделяется обеспечению очень хорошей возможности dv/dt для самых требовательных применений. Такая серия дополняет полный спектр высоковольтных...
Транзистор IRFU320
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU320

276488
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3
Полевые транзисторы

Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3

265444
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1118
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1118

268713
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 56 nC Время нарастания (tr): 25 ns...
Транзистор RJK5020
Полевые транзисторы

Транзистор RJK5020

276697
15,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 126 nC Время нарастания (tr): 115...
Транзистор STP140NF55 to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP140NF55 to220

293420
9,60 BYN
Наименование прибора: STP140NF55 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.