Транзистор 35N60C3

Транзистор 35N60C3

Артикул: 275990

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.6 A

Общий заряд затвора (Qg): 150 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO247

28,44 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275990
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FS10TM-10
Полевые транзисторы

Транзистор FS10TM-10

276359
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 135 pf...
Транзистор FDS6898
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6898

276340
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 16 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDS6875 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6875 so8

293114
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Транзистор IRF4905S
Полевые транзисторы

Транзистор IRF4905S

276381
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 74 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 120 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRF7103 so8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7103 so8

293267
4,68 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор IRFP90N20D
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP90N20D

276115
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 650 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Транзистор 111N15N3G
Полевые транзисторы

Транзистор 111N15N3G

275872
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 83 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.