Транзистор MDD1951

Транзистор MDD1951

Артикул: 303020

Труба MOS

8,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Полярность
N-CH
Рассеяние Мощности
2 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
60 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
4.4A
Время Нарастания
15.2 ns
Входная емкость (Ciss)
470pF @30V(Vds)
Время падения
7.6 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
2000 mW
пакет
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-252-2
размеры
Корпус/Пакет
TO-252-2
303020

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS4410
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4410

266066
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1943
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1943

304754
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор AO4807 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4807 soic8

293015
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 20N60C3 (SPA20N60C3)
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60C3 (SPA20N60C3)

265404
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Транзистор AOD434
Полевые транзисторы

Транзистор AOD434

276168
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор K2842
Полевые транзисторы

Транзистор K2842

276608
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Общий заряд затвора (Qg): 45 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор TPCA8068
Полевые транзисторы

Транзистор TPCA8068

276758
13,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0116 Ohm
Транзистор APM4048D
Полевые транзисторы

Транзистор APM4048D

276253
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.