Транзистор IRF6785M

Транзистор IRF6785M

Артикул: 303113
32,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A

Общий заряд затвора (Qg): 26 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

303113

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 5N60C
Полевые транзисторы

Транзистор 5N60C

276045
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H75N03 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N03 to220

293229
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AOD417
Полевые транзисторы

Транзистор AOD417

276166
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Транзистор PHKD13N03LT
Полевые транзисторы

Транзистор PHKD13N03LT

293346
8,40 BYN
Наименование прибора: PHKD13N03LT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK787
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK787

312567
39,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 350 pf...
Транзистор 11N90M to-247
Полевые транзисторы

Транзистор 11N90M to-247

275877
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRL5602S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL5602S

276532
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IXTK62N25
Полевые транзисторы

Транзистор IXTK62N25

312627
53,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FCH067N65S3
Полевые транзисторы

Транзистор FCH067N65S3

311877
26,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.