Транзистор IRF3205 ORIG.

Транзистор IRF3205 ORIG.

Артикул: 259866

N-Channel 55V, 98A, 150W

8,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259866
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор APM3055L
Полевые транзисторы

Транзистор APM3055L

265885
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Сопротивление сток-исток...
View
Микросхема LM358 dip-8
Микросхемы импортные

Микросхема LM358 dip-8

260463
1,14 BYN
никаких дополнительных цепей компенсации; одно или двуполярное питание; широкий диапазон напряжений питания от 3 до 32 В; Максимальная скорость нарастания выходного сигнала: 0,6 В/мкс; Ток потребления: 0,7 мА; Низкое входное напряжение смещения: 0,2 мВ.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP60T03GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP60T03GH

276208
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 58 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
View
Транзистор FDS8690
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8690

276341
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H4N60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220f

293200
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
View
Транзистор 80N28T
Полевые транзисторы

Транзистор 80N28T

276096
24,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 280 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 02N80C3
Полевые транзисторы

Транзистор 02N80C3

275848
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.7 Ohm Тип корпуса: DPAK
View
Транзистор 2SK1529
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1529

304735
42,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 150 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRFR220 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR220 dpak (to252)

293283
3,20 BYN
Наименование прибора: IRFR220 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.8 A Максимальная температура...
View
Транзистор HQ84SN06A (84N06) to220
Полевые транзисторы

Транзистор HQ84SN06A (84N06) to220

293252
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 84 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор AP9926GEM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9926GEM

311843
25,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
View
Транзистор AF4512 smd
Полевые транзисторы

Транзистор AF4512 smd

293005
5,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...
View
Транзистор 2SK2038
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2038

292964
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 110 pf...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор APM3055L
Полевые транзисторы

Транзистор APM3055L

265885
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Сопротивление сток-исток...
View
Микросхема LM358 dip-8
Микросхемы импортные

Микросхема LM358 dip-8

260463
1,14 BYN
никаких дополнительных цепей компенсации; одно или двуполярное питание; широкий диапазон напряжений питания от 3 до 32 В; Максимальная скорость нарастания выходного сигнала: 0,6 В/мкс; Ток потребления: 0,7 мА; Низкое входное напряжение смещения: 0,2 мВ.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.