Транзистор 2SC2188

Транзистор 2SC2188

Артикул: 303565

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

3,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303565

Просмотренные товары

Транзистор 2SB1626
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1626

303191
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...
View
Транзистор 2SA949Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA949Y

303073
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3868 to220f
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3868 to220f

264767
7,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
View
Транзистор 2955
Биполярные транзисторы

Транзистор 2955

274946
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
View
Транзистор 2SD2125
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2125

304523
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5332
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5332

275471
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD2599
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2599

304565
13,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SD2439A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2439A

304542
22,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRGPC40MD2
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC40MD2

311725
27,00 BYN
Предварительный технический паспорт PD - 9.1084 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC40MD2, Рассчитанный НА короткое замыкание СО СВЕРХБЫСТРЫМ МЯГКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ, Характеристики IGBT-ДИОДА C VCE = 600 В  Номинальное короткое замыкание -10 с при 125 ° C, V = 15 В GE Рейтинг потерь при переключении включает все "хвостовые" потери  Мягкие...
View
Транзистор 2SC3997
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3997

292870
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BU2527DX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2527DX orig

275229
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Статический коэффициент передачи тока...
View
BUTW92
Биполярные транзисторы

BUTW92

282870
16,00 BYN
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,5 В Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В Длина 15.9мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-база 500 В Производитель STMicroelectronics Максимальное напряжение К-Э...
View
Транзистор BLT80/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BLT80/T1

275208
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25...
View
Транзистор 2SC307
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC307

303657
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5480
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5480

292896
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.