Транзистор IPB10N03L

Транзистор IPB10N03L

Артикул: 312610

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

0,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312610

Просмотренные товары

Транзистор 2SD1565
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1565

304327
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000 Корпус транзистора: TO220
View
Транзистор AON6934 dfn5x6
Полевые транзисторы

Транзистор AON6934 dfn5x6

293036
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 2.5 ns Выходная емкость (Cd): 373 pf...
View
Микросхема TA8127F
Микросхемы импортные

Микросхема TA8127F

305976
24,00 BYN
TA8127N и TA8127F - это микросхемы тюнера AM / FM с 1 микросхемой, которые разработаны для портативных радиостанций и радиоприемников для наушников 3 В. Особенности • Встроенные FM F / E, AM / FM IF и FM Детекторная катушка MPX AM и конденсатор связи ПЧ не требуются. · Компактный корпус TA8127N: термоусадочный 24-контактный разъем DIP (шаг 1,78 мм)...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRLML6402
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML6402

276540
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 8 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm Тип корпуса: SOT23
View
Транзистор IRFP354
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP354

276457
22,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AO4807 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4807 soic8

293015
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор 60R041C6
Полевые транзисторы

Транзистор 60R041C6

276065
34,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 481 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 50N60FL
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60FL

276029
16,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 417 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Транзистор 2SK3677
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3677

304867
25,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.5 ns Выходная емкость (Cd): 170 pf...
View
Транзистор 2SJ557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ557

304673
27,60 BYN
Маркировка: XB Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.