Транзистор IRFD9210

Транзистор IRFD9210

Артикул: 303314

Труба MOS

4,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Количество Каналов
1
Полярность
P-Channel
Рассеяние Мощности
1W (Ta)
Напряжение Сток-исток (Vds)
200 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
-400 mA
Входная емкость (Ciss)
170pF @25V(Vds)
Рассеиваемая Мощность (Макс)
1W (Ta)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
HVMDIP-4
размеры
Ширина
6.29 mm
Корпус/Пакет
HVMDIP-4
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
303314

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOD446 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD446 dpak (to252)

293029
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Транзистор STP50N06 to-220
Полевые транзисторы

Транзистор STP50N06 to-220

260373
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор RD01MUS2 sot89
Полевые транзисторы

Транзистор RD01MUS2 sot89

293352
15,60 BYN
Наименование прибора: RD01MUS2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Тип корпуса: SOT-89 Аналог...
Транзистор FDD86250
Полевые транзисторы

Транзистор FDD86250

276316
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 132 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.