Транзистор 2SK514

Транзистор 2SK514

Артикул: 304888

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 500 Ohm

9,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304888

Просмотренные товары

Транзистор 2SC5694
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5694

264782
8,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Микросхема 533АГ3
Микросхемы отечественные

Микросхема 533АГ3

264319
60,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533АГ3 представляет собой два одновибратора с повторным запуском.Содержит 238 интегральных элементов.Корпус типа 402.16-32, масса не более 1,1 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Ток потребления: не более 20 мА.Рабочая температура: -60...+125°С.Технические условия: бК0.347.141ТУ45/02.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 85T03GH
Полевые транзисторы

Транзистор 85T03GH

276109
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор K3929-01MR
Полевые транзисторы

Транзистор K3929-01MR

276636
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
View
Транзистор IRG4PC50FD
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PC50FD

276501
15,76 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 39A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Транзистор IRFPC40
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPC40

276466
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SJ599
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ599

304677
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
View
Транзистор FDS4925
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4925

276334
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 ns Выходная емкость (Cd): 560 pf...
View
Транзистор FSW25N50A
Полевые транзисторы

Транзистор FSW25N50A

282562
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 117 ns Выходная емкость (Cd): 410...
View
Транзистор 2SK1284
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1284

292953
11,60 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRFR010
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR010

293282
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.